Главная Обо мне Гостевая книга Обратная связь Новости Ссылки Космонавтика Софт Антенны Конструкции Схемы Модернизация Радиолюбительская технология Справочники QSL-bureau
Страница обновлена
Главная / Справочники
/..
|
Сокращения. |
© R P Blackwell, G4PMK
© Перевод UN7PPX
Сокращения
|
Расшифровка
|
Пояснения, перевод.
|
| amp | amplifier | Усилитель |
| atten | attenuator | Аттенюатор, ослабитель сигнала |
| a | anode | Анод, положительный электрод |
| b | base | База |
| c | cathode | Катод, отрицательный электрод |
| ca | common anode | Общий анод |
| cc | common cathode | Общий катод |
| comp | complement | Комплементарный, дополняющий |
| d | drain | Сток |
| dg | dual gate | Двойное усиление |
| dtr | digital transistor (see codebook introduction) | Цифровой транзистор. (см. введение) |
| enh | enhancement (mode - FETs) | Расширение |
| fet | field effect transistor | Полевой транзистор |
| fT | transition frequency | Частота перехода |
| GaAsfet | Gallium Arsenide field effect transistor | Арсенид-галлиевый полевой транзистор |
| g | gate | Усиление |
| gnd | ground | Земля. Т.е. "общий провод", заземление. |
| gp | general purpose | Общее применение |
| hfe | small signal current gain | Усиление малого текущего сигнала |
| i/p | input | Вход |
| Id | drain current | Ток стока |
| Ig | gate current | Ток затвора |
| Ir | reverse leakage current (diodes) | Обратный ток утечки (для диодов) |
| jfet | junction field effect transistor | Переход полевого транзистора |
| MAG | maximum available gain | Максимальное возможное усиление |
| max | maximum | Максимум. Наибольшее значение |
| min | minimum | Минимум. Наименьшее значение |
| mmic | microwave minature integrated circuit | Тонкопленочная технология ИМС |
| modamp | modular amplifier - an mmic amplifier | Модульный усилитель |
| mosfet | metal oxide insulated gate fet | Изолированный затвор полевого транзистора; металл-окисел-изолятор. |
| n-ch | n-channel fet (any type) | Полевой транзистор с каналом n-типа |
| npn | npn bipolar transistor | n-p-n биполярный транзистор |
| o/p | output | Выход |
| p-ch | p-channel fet (any type) | Полевой транзистор с каналом p-типа |
| pin | pin diode | pin-диод. (коммутационный диод) |
| pkg | package | Пакет |
| pnp | pnp bipolar transistor | p-n-p биполярный транзистор |
| prot | protection, protected (as in mosfet gate) | Защита, защищенная (как в затворах МОП-транзистора) |
| res | resistor | Резистор |
| s | source | Источник |
| ser | series | Серия, ряд. |
| Si | silicon | Кремний |
| substr | substrate | Подложка |
| sw | switch or switching | Выключатель или переключатель |
| Vce | collector - emitter voltage (maximum) | Макс. напряжение коллектор - эмиттер |
| Vcc | collector supply voltage | Напряжение питания на коллекторе. |
